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       5月9日，据台媒报道，联电正加速扩大第三代半导体布局，主攻8英寸晶圆第三代半导体制造领域，近期大举购置新机台扩产，预计下半年将进驻8英寸AB厂。

       此前，联电早有进军第三代半导体的迹象。

       2021年12月29日，据台媒报道，联电已通过投资联颖，切入第三代半导体领域。联电计划从6英寸GaN入手，之后将展开布局SiC，并向8英寸晶圆发展。公司透露，第三代半导体制程将从CMOS转换而来，未来将伺机扩产。

       联电表示，公司早已开始布局第三代半导体，并且与比利时微电子研究中心（IMEC）进行技术研发合作，现正积极将相关技术朝平台化发展，为IC设计业者提供标准化的技术平台。

       针对这项技术平台的建立，联电将会以提供功率、射频元件方案为主，初期会以GaN技术先行。

       IMEC是全球知名独立公共研发平台、半导体业内指标性研发机构，英特尔、三星、台积电、高通等均与其有合作。

       目前，GaN代工市场以台厂布局最为积极。台积电、世界先进等传统硅晶圆Foundry正在向这个市场靠拢，另外还包括X-Fab等特种工艺Foundry。

       从GaN功率产业链来看，目前GaN-on-Si已成为GaN功率器件主流结构。

       外延方面，全球主流GaN外延片供货商依旧集中在欧洲国家及日本，中国企业尚未进入供给端第一梯队。除了纯粹的外延厂以外，部分晶圆代工厂在产业链上进行延伸，同样具备外延能力。

       器件方面，面向消费市场的650V GaN产品已经形成了批量供货能力，但更高压器件仍然较少。

       根据TrendForce集邦咨询分析，Navitas/PI/英诺赛科将占据2021年GaN功率市场前三名。与此同时，全球GaN功率市场规模预计将从2020年的4800万美元增长到2025年的13.2亿美元，CAGR达94%。

       从GaN射频产业来看，目前具备相应技术的代工厂主要有Wolfspeed、稳懋、宏捷科、GCS、UMS、OMMIC等。

       目前，除联电之外，台积电、世界先进等其他厂商也紧握第三代半导体这一机遇。   

       台积电自2014年开始布局第三代半导体，目前已小批量提供6英寸GaN晶圆代工服务。同时，公司针对车用领域，与意法半导体合作开发GaN制程，而Navitas（GaN消费市场龙头）、GaN Systems等厂商也已在台积电投片，生产高压功率半导体器件。

       世界先进已展开8英寸GaN on Si研发，已有超过10家客户进行产品设计，台湾电子时报指出，该技术可靠性与良率已接近量产阶段。

       硅晶圆厂商环球晶于2021年宣布，将大幅扩产第三代半导体，GaN及SiC产能均将翻倍增长。

       汉磊暨嘉晶董事长徐建华在2021年表示，汉磊将在未来二～三年投资0.8～1.0亿美元，增加6英寸SiC产能达5～7倍，GaN月产能明年倍增至2,000片。嘉晶预计将投入5,000万美元扩产，将SiC基板产能扩增7～8倍，GaN基板产能计划提高2～2.5倍。